E
产品 预告(展)
毫安y1998 顺序 号码: 290645-001
n
有伸缩性的 smartvoltage 技术
2.7 v
–3.6 v 读/程序/擦掉
2.7 v 或者 1.65 v i/o 选项 减少
整体的 系统 电源
12 v 为 快 生产
程序编制
n
高 效能
2.7 v–3.6 v: 90 ns 最大值 进入 时间
3.0 v–3.6 v: 80 ns 最大值 进入 时间
n
优化 architecture 为 代号 加
数据 存储
第八 8-kbyte blocks,
顶 或者 bottom locations
向上 至 sixty-三 64-kb blocks
快 程序 suspend 能力
快 擦掉 suspend 能力
n
有伸缩性的 块 locking
锁/unlock 任何 块
全部 保护 在 电源-向上
wp# 管脚 为 硬件 块
保护
V
PP
=
地 选项
V
CC
lockout 电压
n
低 电源 消耗量
9 毫安 典型 读 电源
10 µa 典型 备用物品 电源 和
自动 电源 savings 特性
n
扩展 温度 运作
–40 °c 至 +85 °c
n
容易-12 v
faster 生产 程序编制
非 额外的 系统 逻辑
n
128-位 保护 寄存器
64-位 唯一的 设备 identifier
64-位 用户 可编程序的 otp
Cells
n
扩展 cycling 能力
最小 100,000 块 擦掉
循环
n
flash 数据 积分器 软件
flash 记忆 manager
系统 中断 manager
支持 参数 存储,
streaming 数据 (e.g., voice)
n
automated 文字/字节 程序 和
块 擦掉
command 用户 接口
状态 寄存器
n
sram-兼容 写 接口
n
交叉-兼容 command 支持
intel 基本 command 设置
一般 flash 接口
n
x 16 为 高 效能
48-球
µ
bga* 包装
48-含铅的 tsop 包装
n
x 8 i/o 为 空间 savings
48-球
µ
bga* 包装
40-含铅的 tsop 包装
n
0.25
µ
etox™ vi flash 技术
这 0.25 µm 3 volt advanced+ 激励 块, 制造的 在 intel’s 最新的 0.25 µ technology, 代表 一个
特性-rich 解决方案 在 整体的 更小的 系统 费用. smart 3 flash 记忆 设备 包含 低 电压
能力 (2.7 v 读, 程序 和 擦掉) 和 高-速, low-power operation. 有伸缩性的 块 locking
准许 任何 块 至 是 independently 锁 或者 unlocked. 增加 至 这个 这 intel-开发 flash 数据
积分器 (fdi) 软件 和 你 有 一个 费用-有效的, 有伸缩性的, 大而单一的 代号 加 数据 存储 解决方案 在
这 market today. 3 volt advanced+ 激励 块 产品 将 是 有 在 48-含铅的 tsop, 40-含铅的 tsop,
和 48-球 µbga* 包装. 额外的 信息 在 这个 产品 家族 能 是 得到 用 accessing
intel’s www 页: http://www.intel.com/设计/flcomp.
3 volt advanced+ 激励 块
8-, 16-, 32-mbit
flash 记忆 家族
28f008c3, 28f016c3, 28f032c3
28f800c3, 28f160c3, 28f320c3
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