2
绝对 最大 比率 热的 信息
集电级-至-发射级 电压 (v
CEO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电级-至-根基 电压 (v
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电级-至-基质 电压 (v
CIO
, 便条 1) . . . . . . . . . . . . . . 20V
发射级-至-根基 电压 (v
EBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电级 电流 (i
C
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50ma
运行 情况
温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
c 至 125
o
C
热的 阻抗 (典型, 便条 2)
θ
JA
(
o
c/w)
θ
JC
(
o
c/w)
pdip 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180 n/一个
cerdip 包装. . . . . . . . . . . . . . . . . 150 75
soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220 n/一个
最大 电源 消耗 (任何 一个 晶体管). . . . . . . 300mW
最大 接合面 温度 (密封的 包装). . . . . . . .175
o
C
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . .150
o
C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . . -65
o
c 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 (焊接 10s). . . . . . . . . . . . 300
o
C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 这 集电级 的 各自 晶体管 的 这 CA3045 和 CA3046 是 分开的 从 这 基质 用 一个 integral 二极管. 这 基质 (终端 13) 必须
是 连接 至 这 大多数 负的 要点 在 这 外部 电路 至 维持 分开 在 晶体管 和 至 提供 为 正常的 晶体管 交流-
tion.
2.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 evaluation pc 板 在 自由 空气.
电的 specifications
T
一个
= 25
o
c, 特性 应用 为 各自 晶体管 在 ca3045 和 ca3046 作 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
直流 特性
集电级-至-根基 损坏 电压 V
(br)cbo
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0 20 60 - V
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
I
C
= 1ma, i
B
= 0 15 24 - V
集电级-至-基质 损坏 电压 V
(br)cio
I
C
= 10
µ
一个, i
CI
= 0 20 60 - V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 5 7 - V
集电级 截止 电流 (图示 1) I
CBO
V
CB
= 10v, i
E
= 0 - 0.002 40 nA
集电级 截止 电流 (图示 2) I
CEO
V
CE
= 10v, i
B
= 0 - 看 图. 2 0.5
µ
一个
向前 电流 转移 比率 (静态的 beta)
(便条 3) (图示 3)
h
FE
V
CE
= 3v I
C
= 10ma - 100 - -
I
C
= 1ma 40 100 - -
I
C
= 10
µ
一个-54--
输入 补偿 电流 为 Matched 一双 Q
1
和 Q
2
.
|I
IO1
- i
IO2
| (便条 3) (图示 4)
V
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 0.3 2
µ
一个
根基-至-发射级 电压 (便条 3) (图示 5) V
是
V
CE
= 3v I
E
= 1ma - 0.715 - V
I
E
= 10ma - 0.800 - V
巨大 的 输入 Offet 电压 为 差别的 一双
|V
BE1
- v
BE2
| (便条 3) (计算数量 5, 7)
V
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 0.45 5 mV
巨大 的 输入 补偿 电压 为 分开的
晶体管 |v
BE3
- v
BE4
|, |v
BE4
- v
BE5
|,
|V
BE5
- v
BE3
| (便条 3) (计算数量 5, 7)
V
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 0.45 5 mV
温度 系数 的 根基-至-发射级
电压 (图示 6)
V
CE
= 3v, i
C
= 1ma - -1.9 - mv/
o
C
集电级-至-发射级 饱和 电压 V
CES
I
B
= 1ma, i
C
= 10ma - 0.23 - V
温度 系数: 巨大 的 输入 止-
设置 电压 (图示 7)
V
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 1.1 -
µ
v/
o
C
动态 特性
低 频率 噪音 图示 (图示 9) NF f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 100
µ
一个,
源 阻抗 = 1k
Ω
- 3.25 - dB
低 频率, 小 信号 相等的
电路 特性
向前 电流 转移 比率 (图示 11) h
FE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 110 - -
短的 电路 输入 阻抗 (图示 11) h
IE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 3.5 - k
Ω
∆
V
是
∆
T
---------------
∆
V
IO
∆
T
----------------
ca3045, ca3046
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