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图示 11. 典型 NORMALIZED 向前 电流
转移 比率, 短的 电路 输入
阻抗, 打开 电路 输出 阻抗,
和 打开 电路 反转 电压 转移
比率 vs 集电级 电流
图示 12. 典型 向前 转移 ADMITTANCE vs
频率
图示 13. 典型 输入 admittance vs 频率 图示 14. 典型 输出 admittance vs 频率
图示 15. 典型 反转 转移 ADMITTANCE vs
频率
图示 16. 典型 增益 带宽 产品 vs
集电级 电流
典型 效能 曲线
(持续)
100
10
1.0
0.1
normalized h 参数
0.01 0.1 1.0 10
集电级 电流 (毫安)
V
CE
= 3v
f = 1khz
T
一个
= 25
o
C
h
OE
h
FE
h
RE
h
IE
h
FE
= 110
h
IE
= 3.5k
Ω
h
RE
= 1.88 x 10
-4
h
OE
= 15.6
µ
S
在
1mA
h
RE
h
IE
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
向前 转移 conductance (g
FE
)
或者 susceptance (b
FE
) (ms)
频率 (mhz)
0.1 10 100
-20
-10
0
10
20
30
40
g
FE
b
FE
1
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
输入 conductance (g
IE
)
或者 susceptance (b
IE
) (ms)
频率 (mhz)
0.1 10 100
0
1
2
3
4
5
6
g
IE
b
IE
1
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
输出 conductance (g
OE
)
或者 susceptance (b
OE
) (ms)
频率 (mhz)
0
1
2
3
4
5
6
g
OE
b
OE
0.1 10 1001
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
反转 转移 conductance (g
RE
)
或者 susceptance (b
RE
) (ms)
频率 (mhz)
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
b
RE
1 10010
g
RE
是 小 在 发生率
较少 比 500mhz
800
700
600
500
400
300
200
100
1000
900
增益 带宽 产品 (mhz)
01234567891011121314
集电级 电流 (毫安)
V
CE
= 3v
T
一个
= 25
o
C
ca3045, ca3046
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