3
打开 电路 输出 阻抗 (图示 11) h
OE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 15.6 -
µ
S
打开 电路 反转 电压 转移 比率
(图示 11)
h
RE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 1.8 x 10
-4
--
admittance 特性
向前 转移 admittance (图示 12) Y
FE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 31 - j1.5 - -
输入 admittance (图示 13) Y
IE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 0.3 + j0.04 - -
输出 admittance (图示 14) Y
OE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 0.001 + j0.03 - -
反转 转移 admittance (图示 15) Y
RE
f = 1khz, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma - 看 图. 14 - -
增益 带宽 产品 (图示 16) f
T
V
CE
= 3v, i
C
= 3ma 300 550 - MHz
发射级-至-根基 电容 C
EB
V
EB
= 3v, i
E
= 0 - 0.6 - pF
集电级-至-根基 电容 C
CB
V
CB
= 3v, i
C
= 0 - 0.58 - pF
集电级-至-基质 电容 C
CI
V
CS
= 3v, i
C
= 0 - 2.8 - pF
便条:
3. 真实的 forcing 电流 是 通过 这 发射级 为 这个 测试.
电的 specifications
T
一个
= 25
o
c, 特性 应用 为 各自 晶体管 在 ca3045 和 ca3046 作 指定
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
典型 效能 曲线
图示 1. 典型 集电级-至-根基 截止 电流
vs 温度 为 各自 晶体管
图示 2. 典型 集电级-至-发射级 截止
电流 vs 温度 为 各自
晶体管
图示 3. 典型 静态的 向前 电流 转移
比率 和 beta 比率 为 q
1
和 q
2
vs
发射级 电流
图示 4. 典型 输入 补偿 电流 为
matched 晶体管 一双 q
1
Q
2
vs
集电级 电流
10
2
10
-1
10
1
10
-2
10
-3
10
-4
集电级 截止 电流 (na)
0 25 50 75 100 125
温度 (
o
c)
V
CB
= 15v
V
CB
= 10v
V
CB
= 5v
I
E
= 0
10
2
10
-1
10
1
10
-2
10
-3
集电级 截止 电流 (na)
0 25 50 75 100 125
温度 (
o
c)
I
B
= 0
V
CE
= 10v
V
CE
= 5v
10
3
发射级 电流 (毫安)
V
CE
= 3v
T
一个
= 25
o
C
静态的 向前 电流
转移 比率 (h
FE
)
beta 比率
120
110
100
90
80
70
60
50
0.01
0.1 1.0 10
0.8
0.9
1.0
1.1
h
FE
h
FE1
h
FE2
-------------
或者
h
FE2
h
FE1
-------------
10
1.0
0.1
0.01
输入 补偿 电流 (
µ
一个)
0.01 0.1 1.0 10
集电级 电流 (毫安)
V
CE
= 3v
T
一个
= 25
o
C
ca3045, ca3046
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