二月. 2000
mitsubishi hvigbt modules
cm800hb-66h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
V
V
V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v
V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
CC
= 1650v, i
C
= 800a, v
GE
= 15v
V
CC
= 1650v, i
C
= 800a
V
GE1
= v
GE2
= 15v
R
G
= 2.5
Ω
resistive 加载 切换 运作
I
E
= 800a, v
GE
= 0v
I
E
= 800a,
消逝 / dt = –1600a /
µ
s (便条 1)
接合面 至 情况, igbt 部分
接合面 至 情况, fwdi 部分
情况 至 fin, 传导性的 grease 应用
I
C
= 80ma, v
CE
= 10v
I
C
= 800a, v
GE
= 15v (便条 4)
V
CE
= 10v
V
GE
= 0v
集电级 截止 电流
门-发射级
门槛 电压
门-泄漏 电流
集电级-发射级
饱和 电压
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
总的 门 承担
转变-在 延迟 时间
转变-在 上升 时间
转变-止 延迟 时间
转变-止 下降 时间
发射级-集电级 电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
热的 阻抗
联系 热的 阻抗
集电级-发射级 电压
门-发射级 电压
最大 集电级 消耗
接合面 温度
存储 温度
分开 电压
挂载 torque
Mass
V
GE
= 0v
V
CE
= 0v
T
C
= 25
°
C
脉冲波 (便条 1)
T
C
= 25
°
C
脉冲波 (便条 1)
T
C
= 25
°
c, igbt 部分
—
—
charged 部分 至 根基 加设护板, rms, sinusoidal, 交流 60hz 1min.
主要的 terminals screw m8
挂载 screw m6
auxiliary terminals screw m4
典型 值
集电级 电流
发射级 电流
3300
±
20
800
1600
800
1600
10400
–40 ~ +150
–40 ~ +125
6000
6.67 ~ 13.00
2.84 ~ 6.00
0.88 ~ 2.00
1.5
最大 比率
(tj = 25
°
c)
标识 Item 情况 UnitRatings
V
V
一个
一个
一个
一个
W
°
C
°
C
V
N·m
N·m
N·m
kg
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
(便条 2)
I
EM
(便条 2)
P
C
(便条 3)
T
j
T
stg
V
iso
—
—
最小值 典型值 最大值
10
0.5
4.94
—
—
—
—
—
1.60
2.00
2.50
1.00
3.64
1.40
—
0.012
0.024
—
毫安
µ
一个
nF
nF
nF
µ
C
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
V
µ
s
µ
C
k/w
k/w
k/w
—
—
3.80
4.00
120
12.0
3.6
5.7
—
—
—
—
2.80
—
270
—
—
0.008
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
I
CES
I
GES
C
ies
C
oes
C
res
Q
G
t
d (在)
t
r
t
d (止)
t
f
V
EC
(便条 2)
t
rr
(便条 2)
Q
rr
(便条 2)
R
th(j-c)q
R
th(j-c)r
R
th(c-f)
电的 特性
(tj = 25
°
c)
标识 Item 情况
V
ge(th)
V
ce(sat)
限制
单位
6.04.5
便条 1. 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 那 这 设备 接合面 温度 (t
j
) 做 不 超过 t
jmax
比率.
2. i
E
, v
EC
, t
rr
, q
rr
&放大; 消逝/dt 代表 特性 的 这 反对-并行的, 发射级 至 集电级 自由-轮子 diode.
3. 接合面 温度 (t
j
) 应当 不 增加 在之外 150
°
c.
4. 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 作 至 导致 negligible 温度 上升.
7.5
2nd-版本 hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules
hvigbt modules (高 电压 insulated 门 双极 晶体管 modules)
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