二月. 2000
mitsubishi hvigbt modules
cm800hb-66h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
2nd-版本 hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules
7
5
3
2
710
2
10
0
7
23 5710
3
23 5
5
5
3
2
10
1
5
7
5
3
2
710
2
10
–1
7
23 5710
3
23 5
5
5
3
2
10
0
5
t
d(止)
V
CC
= 1650v, v
GE
=
±
15V
R
G
= 2.5
Ω
, t
j
= 125
°
C
inductive 加载
t
d(在)
t
r
t
f
half-桥
切换 特性
(
典型
)
切换 时间
(
µ
s
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
V
CC
= 1650v, t
j
= 125
°
C
inductive 加载
V
GE
=
±
15v, r
G
= 2.5
Ω
t
rr
I
rr
反转 恢复 特性
的 自由-轮子 二极管
(
典型
)
反转 恢复 时间 t
rr
(
µ
s
)
发射级 电流 i
E
(
一个
)
反转 恢复 电流 i
rr
(
一个
)
7
5
3
2
10
2
7
5
5
3
2
10
3
10
–2
10
–3
10
–2
10
–1
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
10
1
7
5
3
2
23 57 23 57 23 57
瞬时 热的
阻抗 特性
(
igbt 部分
)
normalized 瞬时
热的 阻抗 z
th(j – c)
时间
(
s
)
10
–2
10
–3
10
–2
10
–1
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
10
1
7
5
3
2
23 57 23 57 23 57
normalized 瞬时
热的 阻抗 z
th(j – c)
时间
(
s
)
瞬时 热的
阻抗 特性
(
fwdi 部分
)
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
R
th(j – c)
= 0.012
°
c/W
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
R
th(j – c)
= 0.024
°
c/W
20
16
12
8
4
0
8000 1000060000 2000 4000
V
GE
– 门 承担
(
典型
)
门-发射级 电压 v
GE
(
V
)
门 承担 q
G
(
nC
)
V
CC
= 1650v
I
C
= 800a
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