二月. 2000
mitsubishi hvigbt modules
cm800hb-66h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
2nd-版本 hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules
效能 曲线
输出 特性
(
典型
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
转移 特性
(
典型
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
门-发射级 电压 v
GE
(
V
)
集电级-发射级
饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
自由-轮子 二极管
向前 特性
(
典型
)
发射级 电流 i
E
(
一个
)
发射级-集电级 电压 v
EC
(
V
)
集电级-发射级 饱和
电压 特性
(
典型
)
800
400
0
100
246
1200
8
1600
0
8
6
4
2
0
400 800 1200 1600
V
GE
=15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
1600
800
400
0
1200
054321
10
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1
T
j
=25
°
C
200481216
V
CE
=10V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
020161284
10
8
6
4
2
0
集电级-发射级
饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
门-发射级 电压 v
GE
(
V
)
集电级-发射级 饱和
电压 特性
(
典型
)
T
j
= 25
°
C
I
C
= 1600a
I
C
= 800a
I
C
= 320a
T
j
=25
°
C
V
GE
=13V
V
GE
=12V
V
GE
=11V
V
GE
=10V
V
GE
=9V
V
GE
=8V
V
GE
=7V
V
GE
=14V
V
GE
=15V
V
GE
=20V
10
1
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0
电容 vs. v
CE
(
典型
)
电容 c
ies
, c
oes
, c
res
(
nF
)
集电级-发射级 电压 v
CE
(
V
)
C
ies
C
oes
C
res
V
GE
= 0v, t
j
= 25
°
C
C
ies,
C
oes
: f = 100khz
C
res
: f = 1mhz
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