数据 薄板
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit multi-目的 flash
sst37vf512 / sst37vf010 / sst37vf020 / sst37vf040
7
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71151-02-000 5/01 397
交流 特性
表格 9: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6v
(ta = 0
°
c 至 +70
°
c (商业的))
标识 参数
sst37vf512-70
sst37vf010-70
sst37vf020-70
sst37vf040-70
sst37vf512-90
sst37vf010-90
sst37vf020-90
sst37vf040-90
单位MinMaxMinMax
T
RC
读 循环 时间 70 90 ns
T
CE
碎片 使能 进入 时间 70 90 ns
T
AA
地址 进入 时间 70 90 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 35 45 ns
T
CLZ
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZ
1
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
CHZ
1
ce# 高 至 高-z 输出 30 30 ns
T
OHZ
1
oe# 高 至 高-z 输出 30 30 ns
T
OH
1
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
t9.2 397
表格 10: P
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6v
(ta = 25
°
C±5
°
c)
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
BP
字节-程序 时间 12 20 µs
T
CES
ce# 建制 时间 1 ns
T
CEH
ce# 支撑 时间 1 ns
T
作
地址 建制 时间 1 ns
T
AH
地址 支撑 时间 1 ns
T
DS
数据 建制 时间 1 ns
T
DH
数据 支撑 时间 1 ns
T
PRT
oe# 上升 时间 为 程序 和 擦掉 1 ns
T
VPS
oe# 建制 时间 为 程序 和 擦掉 1 ns
T
VPH
oe# 支撑 时间 为 程序 和 擦掉 1 ns
T
PW
we# 程序 脉冲波 宽度 10 15 ns
T
EW
we# 擦掉 脉冲波 宽度 100 500 ns
T
VR
oe#/一个
9
恢复 时间 为 擦掉 1 ns
T
艺术
一个
9
上升 时间 至 12v 在 擦掉 1 ns
T
A9S
一个
9
建制 时间 在 擦掉 1 ms
T
A9H
一个
9
支撑 时间 在 擦掉 1 ms
t10.0 397
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