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数据 薄板
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit multi-目的 flash
sst37vf512 / sst37vf010 / sst37vf020 / sst37vf040
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71151-02-000 5/01 397
表格 4: R
EAD
M
ODE
直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
=2.7-3.6v
(ta = 0
°
c 至 +70
°
c (商业的))
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
V
DD
读 电流 地址 输入=v
IL
/v
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值
V
DD
=V
DD
最大值
12 毫安 CE#=OE#=V
IL
, 所有 i/os 打开
I
SB
备用物品 v
DD
电流 15 µA CE#=V
IHC
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 0.7 v
DD
VV
DD
=V
DD
最大值
V
IHC
输入 高 电压 (cmos) V
DD
-0.3 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.2 V I
OL
=100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 V
DD
-0.3 V I
OH
=-100 µa, v
DD
=V
DD
最小值
I
H
supervoltage 电流 为 一个
9
为 读-id 200 µA CE#=OE#=V
IL
, 一个
9
=V
H
最大值
t4.3 397
表格 5: P
ROGRAM
/e
RASE
直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
=2.7-3.6v
(ta = 25
°
C±5
°
c)
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
V
DD
擦掉 或者 程序 电流 20 毫安 CE#=V
il,
OE#=V
H
, v
DD
=V
DD
最大值, we#=v
IL
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
H
supervoltage 为 一个
9
和 oe# 11.4 12.6 V
I
H
supervoltage 电流 为 一个
9
和 oe# 200 µA OE#=V
H
最大值, 一个
9
=V
H
最大值, v
DD
=V
DD
最大值, ce# = v
IL
t5.1 397
表格 6: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
向上
T
IMINGS
标识 参数 最小 单位
T
pu-读
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
电源-向上 至 读 运作 100 µs
T
pu-写
1
电源-向上 至 写 运作 100 µs
t6.1 397
表格 7: C
APACITANCE
(ta = 25
°
c, f=1 mhz, 其它 管脚 打开)
参数 描述 测试 情况 最大
C
i/o
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
i/o 管脚 电容 V
i/o
= 0v 12 pf
C
在
1
输入 电容 V
在
= 0v 6 pf
t7.0 397
表格 8: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
标识 参数 最小 规格 单位 测试 方法
N
终止
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
忍耐力 10,000 循环 电子元件工业联合会 标准 a117
T
DR
1
数据 保持 100 年 电子元件工业联合会 标准 a103
I
LTH
1
获得 向上 100 + i
DD
毫安 电子元件工业联合会 标准 78
t8.3 397
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