CY22381
文档 #: 38-07012 rev. *d 页 4 的 8
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 手册-
线条, 不 测试.)
供应 电压 ............................................... –0.5v 至 +7.0v
直流 输入 电压.............................. –0.5v 至 + (v
DD
+ 0.5v)
存储 温度 ..................................–65°c 至 +125°c
接合面 温度 .................................................. 125°C
数据 保持 @ tj = 125°c................................> 10 年
最大 程序编制 循环........................................100
包装 电源 消耗...................................... 250 mw
静态的 释放 电压
(每 mil-标准-883, 方法 3015) ...........................
≥
2000V
获得 向上 (每 电子元件工业联合会 17) ....................................
≥
±200 毫安
运行 情况
[1]
参数 描述 最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
供应 电压 3.135 3.3 3.465 V
T
一个
商业的 运行 温度erature, 包围的 0 – +70 °C
工业的 运行 温度erature, 包围的 –40 – +85 °C
C
加载_输出
最大值 加载 电容 – – 15 pF
f
REF
外部 涉及 结晶 8 – 30 MHz
外部 涉及 时钟
[2]
, 商业的 1 – 166 MHz
外部 涉及 时钟
[2]
, 工业的 1 – 150 MHz
t
PU
电源-向上 时间 为 所有 vdd's 至 reach 最小 指定 电压
(电源 ramps 必须 是 monotonic)
0.05 – 500 ms
电的 特性
参数 描述 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
OH
输出 高 电流
[3]
V
OH
= v
DD
–0.5, v
DD
=3.3v 12 24 – 毫安
I
OL
输出 低 电流
[3]
V
OL
= 0.5v, v
DD
=3.3v 12 24 – 毫安
C
xtal_最小值
结晶 加载 电容
[3]
capload 在 最小 设置 – 6 – pF
C
xtal_最大值
结晶 加载 电容
[3]
capload 在 最大 设置 – 30 – pF
C
在
输入 管脚 电容
[3]
除了 结晶 管脚 – 7 – pF
V
IH
高-水平的 输入 电压 cmos 水平,% 的 v
DD
70% – – V
DD
V
IL
低-水平的 输入 voltage cmos 水平,% 的 v
DD
– – 30% V
DD
I
IH
输入 高 电流 V
在
=V
DD
–0.3v – <1 10
µ
一个
I
IL
输入 低 电流 V
在
=+0.3v – <1 10
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏 电流 三-状态 输出 – – 10
µ
一个
I
DD
总的 电源 供应 电流 3.3 v 电源 供应; 3 输出 @ 50 MHz – 35 – 毫安
3.3 v 电源 供应; 3 输出 @ 166 MHz – 70 – 毫安
I
DDS
总的 电源 供应 电流 在
关闭 模式
shut-向下 起作用的 – 5 20
µ
一个
注释:
1. 除非 否则 指出, 电的 和 切换 characteristics 是 有保证的 横过 这些 运行 情况.
2. 外部 输入 涉及 时钟 必须 有一个 职责 循环 在 40% 一个nd 60%, 量过的 在 v
DD
/2.
3. 有保证的 用 设计, 不 100% 测试.
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