典型 效能 characteristics–
AD7302
下沉 电流 – 毫安
V
输出
– mv
800
0
0824 6
720
400
240
160
80
640
560
320
480
V
DD
= 5v 和 3v
内部的 涉及
T
一个
= +25 C
dac 承载 和 00hex
␣ 图示 2. 输出 下沉 电流 capa-
␣ bility 和 v
DD
= 3 v 和 v
DD
= 5 v
涉及 电压 – 伏特
错误 – lsbs
0.5
0
1.0 1.2 2.8
1.4 1.6 1.8 2.2 2.4 2.62.0
0.45
0.25
0.15
0.1
0.05
0.4
0.35
0.2
0.3
V
DD
= 5v
T
一个
= +25
C
inl 错误
dnl 错误
␣␣␣␣图示 5. 相关的 精度 vs.
␣␣␣␣外部 涉及
频率 – hz
attenuation – db
1 10 10k100 1k
10
5
–40
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
V
DD
= 5v
外部 sinewave 涉及
dac 寄存器 承载 和 ffhex
T
一个
= +25
°
C
␣␣␣␣␣␣图示 8. 大 规模 信号
␣␣␣␣␣␣频率 回馈
源 电流 – 毫安
V
输出
–
伏特
02 846
5
4.92
4.2
4.84
4.76
4.68
4.6
4.52
4.44
4.36
4.28
V
DD
= 5v
内部的 涉及
dac 寄存器 承载
和 ffhex
T
一个
= +25
°
C
图示 3. 输出 源 电流
能力 和 v
DD
= 5 v
–50 –25
100
温度 –
C
5.0
3.5
2.0
I
DD
– 毫安
4.5
4.0
3.0
2.5
内部的 涉及
逻辑 输入 = v
DD
或者 地
两个都 dacs 起作用的
V
DD
= 5.5v
V
DD
= 3.3v
1.5
1.0
0.5
0
0 255075 125
图示 6. 典型 供应 电流
vs. 温度
T
←
V
输出
V
DD
= 3v
内部的 电压
涉及
全部 规模 代号
改变 00h-ffh
T
一个
= +25
°
C
1
←
3
←
2
←
V
输出
ch1 5v, ch2 1v, ch3 20mv
时间 根基 = 200 ns/div
WR
图示 9. 全部-规模 安排好 时间
源 电流 – 毫安
3.5
1.0
01 8234567
3.25
2.5
2.25
1.75
1.25
3.0
2.75
2.0
1.5
V
输出
– 伏特
V
DD
= 3v
内部的 涉及
dac 寄存器 承载
和 ffhex
T
一个
= +25
°
C
图示 4. 输出 源 电流
能力 和 v
DD
= 3 v
V
DD
– 伏特
I
DD
– 毫安
5.0
3.0
1.0
4.0
2.5 3.0 5.53.5 4.0 4.5 5.0
逻辑 输入 = v
DD
或者 地
逻辑 输入 = v
IH
或者 v
IL
两个都 dacs 起作用的
内部的 涉及 使用
T
一个
= +25
°
C
2.0
6.0
7.0
图示 7. 典型 供应 电流
vs. 供应 电压
PD
V
输出
ad7302 电源-向上 时间
V
DD
= 5v
内部的 涉及
dac 在 电源-向下 initially
1
2
ch1 = 2v/div, ch2 = 5v/div,
时间 根基 = 2 µs/div
␣ 图示 10. exiting 电源-向下 (全部
␣ 电源-向下)
–7–
rev. 0