K4S511632D cmos sdram
rev. 0.0 july. 2002
这 k4s511632d 是 536,870,912 位 同步的 高 数据 比率
动态 内存 有组织的 作 4 x 8,392,608words 用 16bits, fabri-
cated 和 samsung's 高 效能 cmos 技术. syn-
chronous 设计 准许 准确的 循环 控制 和 这 使用 的
系统 时钟 i/o transactions 是 可能 在 每 时钟 循环.
范围 的 运行 发生率, 可编程序的 burst 长度 和
可编程序的 latencies 准许 这 一样 设备 至 是 有用的 为 一个
多样性 的 高 带宽, 高 效能 记忆 系统 appli-
cations.
•电子元件工业联合会标准 3.3v 电源 供应
•lvttl 兼容 和 多路复用 地址
•四 banks 运作
•mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. cas latency (2 &放大; 3)
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
•所有 输入 是 抽样 在 这 积极的 going 边缘 的 这 系统
时钟.
•burst 读 单独的-位 写 运作
•dqm 为 masking
•自动 &放大; 自 refresh
•64ms refresh 时期 (8k 循环)
一般 描述特性
函数的 块 图解
8m x 16bit x 4 banks 同步的 dram
bank 选择
数据 输入 寄存器
2 x 4m x 16
2 x 4m x 16
Sense一个MP
OutputBufferi/oC在trol
column 解码器
latency &放大; burst 长度
程序编制 寄存器
一个ddressRegister
RowBuffer
RefreshCounter
RowDecoder Col.Buffer
LR作
LCBR
LCKE
LRAS LCBR LWE LDQM
CLK CKE CS RAS CAS 我们 DQM
LWE
LDQM
DQi
CLK
增加
LCAS LWCBR
2 x 4m x 16
2 x 4m x 16
定时 寄存器
* samsung electronics reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
订货 信息
部分 非. 最大值 freq. 接口 包装
k4s511632d-kc/l7c 133mhz(cl=2)
LVTTL
54pin
tsop(ii)
k4s511632d-kc/l75 133mhz(cl=3)
k4s511632d-kc/l1h 100mhz(cl=2)
k4s511632d-kc/l1l 100mhz(cl=3)
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