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资料编号:269653
 
资料名称:DTA114YET1
 
文件大小: 211.37K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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dta114eet1 序列
http://onsemi.com
4
典型 电的 特性 — dta114eet1
V
, 输入 电压 (伏特)
I
C
, 集电级 电流 (毫安) h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
图示 3. v
ce(sat)
相比 i
C
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
V
, 输入 电压 (伏特)
T
一个
= –25
°
C
25
°
C
12345
678910
图示 4. 直流 电流 增益
图示 5. 输出 电容 图示 6. 输出 电流 相比 输入 电压
图示 7. 输入 电压 相比 输出 电流
0.01
20
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
V
ce(sat)
, 最大 集电级 电压 (伏特)
0.1
1
040
50
1000
1 10 100
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
T
一个
=75
°
C
–25
°
C
100
10
0
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.1
1
10
100
10 20 30 40 50
T
一个
= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
75
°
C
I
C
/i
B
= 10
50
010203040
4
3
1
2
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
C
ob
, 电容 (pf)
0
T
一个
= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
25
°
C
V
CE
= 10 v
f = 1 mhz
l
E
= 0 v
T
一个
= 25
°
C
V
O
= 5 v
V
O
= 0.2 v
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