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资料编号:269653
资料名称:
DTA114YET1
文件大小: 211.37K
说明
:
介绍
:
Bias Resistor Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
dta114eet1 序列
http://onsemi.com
5
典型 电的 特性 — dta124eet1
V
在
, 输入 电压 (伏特)
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
图示 8. v
ce(sat)
相比 i
C
图示 9. 直流 电流 增益
1000
10
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
100
10
1
100
图示 10. 输出 电容
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0
10
20
30
V
O
=
0.2 v
T
一个
=
–25
°
C
75
°
C
100
10
1
0.1
40
50
图示 11. 输出 电流 相比 输入 电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
01
2
3
4
V
在
, 输入 电压 (伏特)
56
78910
图示 12. 输入 电压 相比 输出 电流
0.01
V
ce(sat)
, 最大 集电级 电压
(
伏特)
0.1
1
10
40
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
020
50
75
°
C
25
°
C
T
一个
=
–25
°
C
50
010203040
4
3
2
1
0
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
C
ob
, 电容
(pf)
25
°
C
I
C
/i
B
= 10
25
°
C
–25
°
C
V
CE
= 10 v
T
一个
=75
°
C
f = 1 mhz
l
E
= 0 v
T
一个
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
一个
=
–25
°
C
V
O
=
5 v
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