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资料编号:269653
 
资料名称:DTA114YET1
 
文件大小: 211.37K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 industries, llc, 2000
将, 2000 – rev. 0
1
发行 顺序 号码:
dta114eet1/d
DTA114EET1 序列
preferred 设备
偏差 电阻 晶体管
pnp 硅 表面 挂载 晶体管
和 大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的
设备 和 它的 外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻
晶体管) 包含 一个 单独的 晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络
consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基 电阻 和 一个 base–emitter
integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少
两个都 系统 费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这
sc–75/sot–416 包装 这个 是 设计 为 低 电源 表面
挂载 产品.
使简化 电路 设计
减少 板 空间
减少 组件 计数
这 sc–75/sot–416 包装 能 是 焊接 使用
波 或者 软熔焊接. 这 修改 gull–winged leads absorb
热的 压力 在 焊接 eliminating 这 possibility
的 损坏 至 这 消逝.
有 在 8 mm, 7 inch/3000 单位 录音带 &放大; 卷轴
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
设备 标记 和 电阻 值
设备 标记 r1 (k) r2 (k) Shipping
DTA114EET1
DTA124EET1
DTA144EET1
DTA114YET1
DTA114TET1
DTA143TET1
DTA123EET1
DTA143ZET1
DTA124XET1
DTA123JET1
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
6K
6L
6M
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
22
2.2
10
22
47
47
2.2
47
47
47
3000/录音带 &放大; 卷轴
http://onsemi.com
情况 463
sot–416/sc–75
样式 1
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
pnp 硅
偏差 电阻
晶体管
3
2
1
集电级
3
1
根基
2
发射级
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