28F020
E
6
擦掉 电压
转变
输入/输出
缓存区
pgm 电压
转变
碎片 使能
输出 使能
逻辑
数据 获得
状态
控制
Command
寄存器
整体的 停止
计时器
y-解码器
x-解码器
地址 获得
y-gating
2,097,152 位
cell 矩阵变换
至 排列 源
V
CC
V
SS
V
PP
WE#
CE#
OE#
一个
0
- 一个
17
STB
STB
DQ
0
- dq
7
0245_01
图示 1. 28f020 块 图解
表格 1. 管脚 描述
标识 类型 名字 和 函数
一个
0
–A
17
输入
地址 输入
为 记忆 地址. 地址 是
内部 latched 在 一个 写 循环.
DQ
0
–DQ
7
输入/输出
数据 输入/输出:
输入 数据 在 记忆 写 循环;
输出 数据 在 记忆 读 循环. 这 数据 管脚 是 起作用的
高 和 float 至 触发-状态
止
当 这 碎片 是 deselected 或者 这
输出 是 无能. 数据 是 内部 latched 在 一个 写 循环.
CE# 输入
碎片 使能:
activates 这 设备的 控制 逻辑, 输入 缓存区,
decoders 和 sense 放大器. ce# 是 起作用的 低; ce# 高
deselects 这 记忆 设备 和 减少 电源 消耗量 至
备用物品 水平.
OE# 输入
输出 使能:
门 这 设备 输出 通过 这 数据
缓存区 在 一个 读 循环. oe# 是 起作用的 低.
WE# 输入
写 使能:
控制 写 至 这 控制 寄存器 和 这
排列. 写 使能 是 起作用的 低. 地址 是 latched 在 这
下落 边缘 和 数据 是 latched 在 这 rising 边缘 的 这 we#
脉冲波.
便条:
和 v
PP
≤
6.5 v, 记忆 内容 不能 是 改变.
V
PP
擦掉/程序 电源 供应
为 writing 这 command
寄存器, erasing 这 全部 排列, 或者 程序编制 字节 在 这 排列.
V
CC
设备 电源 供应
(5 v ±10%)
V
SS
地面
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