E
28F020
5
1.0 产品
这 28f020 flash 记忆 提供 nonvolatility
along 和 这 能力 至 执行 在 100,000
电的 碎片-erasure/reprogram 循环. 这些
特性 制造 这 28f020 一个 革新的 alternative
至 disk, 可擦可编程只读存储器, 和 电池-backed 静态的 内存.
在哪里 periodic updates 的 代号 和 数据 tables
是 必需的, 这 28f020’s reprogrammability 和
nonvolatility 制造 它 这 obvious 和 完美的
替换 为 非易失存储器.
primary 产品 和 运行系统 贮存
在 flash eliminate 这 慢 disk-至-dram 下载
处理. 这个 结果 在 dramatic 增强 的
效能 和 substantial 减少 的 电源
consumption—a 仔细考虑 特别
重要的 在 可携带的 设备. flash 记忆
增加 flexibility 和 电的 碎片-erasure 和
在-系统 更新 能力 的 运行系统
和 应用 代号. 和 updatable 代号,系统
manufacturers 能 容易地 accommodate last-
分钟 改变 作 revisions 是 制造.
在 diskless workstations 和 terminals, 网络
交通量 减少 至 一个 最小 和系统 是
instant-在. 可靠性 超过 那 的 electro-
机械的 媒介. 常常 在 这些 环境,
电源 interruptions 强迫 扩展 re-激励 时期
为 所有 networked terminals. 这个 mishap 是 非
变长 一个 公布 如果 激励 代号, 运行系统,
交流 protocols 和 primary 产品
是 flash resident 在 各自 终端.
为 embedded系统 那 rely 在 动态
内存/disk 为 主要的 系统 记忆 或者nonvolatile
backup 存储, 这 28f020 flash 记忆 提供 一个
固体的 状态 alternative 在 一个 minimal 表格 因素. 这
28f020 提供 高等级的 效能, 更小的 电源
消耗量, instant-在 能力, 和 准许 一个
“execute 在 place” (xip) 记忆 hierarchy 为
代号 和 数据 表格 读. additionally, 这 flash
记忆 是 更多 坚毅的 和 可依靠的 在 harsh
环境 在哪里 extreme 温度 和
shock 能 导致 disk-为基础 系统 至 失败.
这 需要 为 代号 updates pervades 所有 阶段 的
一个 系统’s life—from prototyping 至 系统
制造 至 之后 出售 维护. 这 电的
碎片-erasure 和 reprogramming 能力 的 这
28f020 准许 在-电路 alterability; 这个 排除
unnecessary 处理 和 较少 可依靠的 socketed
连接, 当 adding 更好 测试,
制造, 和 更新 flexibility.
材料 和 labor costs 有关联的 和 代号
改变 增加 在 高等级的 水平 的系统
integration—the 大多数 costly 正在 代号 updates
之后 出售. 代号 “bugs,” 或者 这 desire 至 augment
系统 functionality, prompt 之后 出售 代号
updates. 地方 revisions 至 非易失存储器-为基础 代号
需要 这 除去 的 非易失存储器 组件 或者
全部 boards. 和 这 28f020, 代号 updates 是
执行 locally 通过 一个 边缘 连接器, 或者
remotely 在 一个 communications link.
为 系统 目前 使用 一个 高-密度 静态的
内存/电池 配置 为 数据 accumulation,
flash 记忆’s 固有的 nonvolatility 排除 这
需要 为 电池 backup. 这 concern 为 电池
失败 非 变长 exists, 一个 重要的 仔细考虑
为 可携带的 设备 和 medical 器械,
两个都 需要 持续的 效能. 在 增加,
flash 记忆 提供 一个 considerable 费用 有利因素
在 静态的 内存.
flash 记忆’s 电的 碎片-erasure, 字节
programmability 和 完全 nonvolatility 合适 好
和 数据 accumulation 和 recording needs.
电的 碎片-erasure 给 这 设计者 一个 “blank
slate” 在 这个 至 log 或者 record 数据. 数据 能 是
periodically 止-承载 为 分析 和 这 flash
记忆 erased producing 一个 新 “blank slate.”
一个 高 程度 的 在-碎片 特性 integration
使简化 记忆-至-处理器 接合. 图示
3 depicts 二 28f020s 系 至 这 80c186系统
总线. 这 28f020’s architecture 降低 接口
电路系统 需要 为 完全 在-电路 updates 的
记忆 内容.
这 优秀的 特性 的 这 tsop (薄的 小
外形 包装) 是 这 1.2 mm 厚度. tsop
是 特别 suited 为 可携带的 设备 和
产品 需要 大 amounts 的 flash
记忆.
和 费用-有效的 在-系统 reprogramming,
扩展cycling 能力, 和 真实 nonvolatility,
这 28f020 提供 有利因素 至 这 alternatives:
eproms, eeproms, 电池 backed 静态的 内存,
或者 disk. 非易失存储器-兼容 读 规格,
straightforward 接合, 和 在-电路 alterability
提供 designers unlimited flexibility 至 满足 这
高 standards 的 today’s 设计.
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