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资料编号:289608
 
资料名称:EDE5116ABSE
 
文件大小: 697.91K
   
说明
 
介绍:
512M bits DDR2 SDRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ede5104abse, ede5108abse, ede5116abse
数据 薄板 e0323e90 (ver. 9.0)
7
直流 特性 1 (tc = 0 至 +85
°
c, vdd, vddq = 1.8v
±
0.1v)
最大值
参数 标识 等级
×
4
×
8
×
16 单位 测试 情况
运行 电流
(act-前)
IDD0
-5c
-4a
105
90
110
95
155
140
毫安
一个 bank; tck = tck (idd), trc = trc (idd),
tras = tras 最小值.(idd);
cke 是 h, /cs 是 h 在 有效的 commands;
地址 总线 输入 是 切换;
数据 总线 输入 是 切换
运行 电流
(act-读-前)
IDD1
-5c
-4a
120
105
125
110
170
155
毫安
一个 bank; iout = 0ma;
bl = 4, cl = cl(idd), al = 0;
tck = tck (idd), trc = trc (idd),
tras = tras 最小值.(idd); trcd = trcd (idd);
cke 是 h, /cs 是 h 在 有效的 commands;
地址 总线 输入 是 切换;
数据 模式 是 一样 作 idd4w
precharge 电源-
向下 备用物品 电流
IDD2P
-5c
-4a
10
8
10
8
10
8
毫安
所有 banks 空闲;
tck = tck (idd);
cke 是 l;
其它 控制 和 地址 总线 输入 是 稳固的;
数据 总线 输入 是 floating
precharge 安静
备用物品 电流
IDD2Q
-5c
-4a
25
20
25
20
25
20
毫安
所有 banks 空闲;
tck = tck (idd);
cke 是 h, /cs 是 h;
其它 控制 和 地址 总线 输入 是 稳固的;
数据 总线 输入 是 floating
空闲 备用物品 电流 IDD2N
-5c
-4a
30
25
30
25
30
25
毫安
所有 banks 空闲;
tck = tck (idd);
cke 是 h, /cs 是 h;
其它 控制 和 地址 总线 输入 是 切换;
数据 总线 输入 是 切换
idd3p-f
-5c
-4a
40
35
40
35
40
35
毫安
快 pdn exit
mrs(12) = 0
起作用的 电源-向下
备用物品 电流
idd3p-s
-5c
-4a
25
20
25
20
25
20
毫安
所有 banks 打开;
tck = tck (idd);
cke 是 l;
其它 控制 和 地址 总线
输入 是 稳固的;
数据 总线 输入 是 floating
慢 pdn exit
mrs(12) = 1
起作用的 备用物品
电流
IDD3N
-5c
-4a
65
60
65
60
85
75
毫安
所有 banks 打开;
tck = tck (idd), tras = tras 最大值.(idd), trp = trp (idd);
cke 是 h, /cs 是 h 在 有效的 commands;
其它 控制 和 地址 总线 输入 是 切换;
数据 总线 输入 是 切换
运行 电流
(burst 读 运行)
IDD4R
-5c
-4a
170
140
190
150
240
200
毫安
所有 banks 打开, 持续的 burst 读, iout = 0ma;
bl = 4, cl = cl(idd), al = 0;
tck = tck (idd), tras = tras 最大值.(idd), trp = trp (idd);
cke 是 h, /cs 是 h 在 有效的 commands;
地址 总线 输入 是 切换;
数据 模式 是 一样 作 idd4w
运行 电流
(burst 写
运行)
IDD4W
-5c
-4a
170
140
190
150
240
200
毫安
所有 banks 打开, 持续的 burst 写;
bl = 4, cl = cl(idd), al = 0;
tck = tck (idd), tras = tras 最大值.(idd), trp = trp (idd);
cke 是 h, /cs 是 h 在 有效的 commands;
地址 总线 输入 是 切换;
数据 总线 输入 是 切换
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