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资料编号:289608
 
资料名称:EDE5116ABSE
 
文件大小: 697.91K
   
说明
 
介绍:
512M bits DDR2 SDRAM
 
 


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ede5104abse, ede5108abse, ede5116abse
数据 薄板 e0323e90 (ver. 9.0)
6
推荐 直流 运行 情况 (sstl_18)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
供应 电压 VDD 1.7 1.8 1.9 V 4
供应 电压 为 输出 VDDQ 1.7 1.8 1.9 V 4
输入 涉及 电压 VREF 0.49
×
VDDQ 0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ V 1, 2
末端 电压 VTT VREF
0.04 VREF vref + 0.04 V 3
直流 输入 逻辑 高 vih (直流) vref + 0.125
vddq + 0.3 V
直流 输入 低 vil (直流)
0.3
vref – 0.125 V
交流 输入 逻辑 高 vih (交流) vref + 0.250
 
V
交流 输入 低 vil (交流)
 
VREF
0.250 V
注释: 1. 这 值 的 vref 将 是 选择 用 这 用户至 提供 最佳的 噪音 余裕 在 这 系统. 典型地
这 值 的 vref 是 预期的 至 是 关于 0.5
×
vddq 的 这 transmitting 设备 和 vref 是 预期的
至 追踪 变化 在 vddq.
2. 顶峰 至 顶峰 交流 噪音 在 vref 将 不 超过
±
2% vref (直流).
3. vtt 的 transmitting 设备 必须 追踪 vref 的 接到 设备.
4. vddq 轨道 和 vdd, vddl 轨道 和 vdd.交流 参数 是 measured 和 vdd, vddq 和
vddl 系 一起.
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