ede5104abse, ede5108abse, ede5116abse
数据 薄板 e0323e90 (ver. 9.0)
8
最大值
参数 标识 等级
×
4
×
8
×
16 单位 测试 情况
自动-refresh 电流 IDD5
-5c
-4a
250
230
250
230
250
230
毫安
tck = tck (idd);
refresh command 在 每 trfc (idd) 间隔;
cke 是 h, /cs 是 h 在 有效的 commands;
其它 控制 和 地址 总线 输入 是 切换;
数据 总线 输入 是 切换
自-refresh 电流 idd6 6 6 6 毫安
自 refresh 模式;
ck 和 /ck 在 0v;
CKE
≤
0.2v;
其它 控制 和 地址 总线 输入 是 floating;
数据 总线 输入 是 floating
运行 电流
(bank interleaving)
IDD7
-5c
-4a
300
280
320
300
500
480
毫安
所有 bank interleaving 读, iout = 0ma;
bl = 4, cl = cl(idd), al = trcd (idd)
−
1
×
tck (idd);
tck = tck (idd), trc = trc (idd), trrd = trrd(idd),
trcd = 1
×
tck (idd);
cke 是 h, cs 是 h 在 有效的 commands;
地址 总线 输入 是 稳固的 在 deselects;
数据 模式 是 一样 作 idd4w;
注释: 1. idd specifications 是 测试 之后 这 设备 是 合适的 initialized.
2. 输入 回转 比率 是 specified 用 交流 输入 测试 情况.
3. idd 参数 是 规格ified 和 odt 无能.
4. 数据 总线 组成 的 dq, dm, dqs, /dqs,rdqs, /rdqs, ldqs, /ldqs,udqs, 和 /udqs. idd
值 必须 是 符合 和 所有 结合体 的 emrs 位 10 和 11.
5. 定义 为 idd
l 是 定义 作 vin
≤
vil (交流) (最大值.)
h 是 定义 作 vin
≥
vih (交流) (最小值.)
稳固的 是 定义 作 输入 稳固的 在 一个 h 或者 l 水平的
floating 是 定义 作 输入 在 vref = vddq/2
切换 是 定义 作:
输入 changing 在 h 和 l 每 其它 时钟 循环 (once 每 二 clocks) 为 地址 和 控制
信号, 和 输入 changing 在 h 和 l 每 other 数据 转移 (once 每 时钟) 为 dq 信号
不 包含 masks 或者 strobes.
6. 谈及 至 交流 定时 为 idd 测试 情况.
交流 定时 为 idd 测试 情况
为 目的 的 idd 测试, 这 following 参数 是 至 是 使用.
ddr2-533 ddr2-400
参数 4-4-4 3-3-3 单位
cl(idd) 4 3 tCK
trcd(idd) 15 15 ns
trc(idd) 55 55 ns
trrd(idd)-
×
4/
×
8 7.5 7.5 ns
trrd(idd)-
×
16 10 10 ns
tck(idd) 3.75 5 ns
tras(最小值.)(idd) 40 40 ns
tras(最大值.)(idd) 70000 70000 ns
trp(idd) 15 15 ns
trfc(idd) 105 105 ns
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