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资料编号:315228
 
资料名称:MRF5812R1
 
文件大小: 173.04K
   
说明
 
介绍:
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
 
 


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msc1319.pdf 10-25-99
mrf5812, r1, r2
电的 规格 (tcase = 25
°
c)
STATIC
(止)
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
BVCEO 集电级-发射级 损坏 电压
(ic = 5.0madc, ib = 0) 15 - - Vdc
BVCBO 集电级-根基 损坏 电压
(ic = 1.0madc, ie = 0) 30 - - Vdc
BVEBO 发射级-根基 损坏 电压
(ie = 0.1madc, ic = 0) 2.5 - - Vdc
ICBO 集电级 截止 电流
(vce = 15vdc, vbe = 0vdc) - - 0.1 毫安
IEBO 集电级 截止 电流
(vce = 2.0vdc, vbe = 0vdc) - - 0.1 毫安
(在)
HFE 直流 电流 增益
(ic = 50madc, vce = 5.0vdc) 50 200
动态
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
COB 输出 电容
(vcb = 10vdc, ie = 0, f = 1.0 mhz)
-
1.4 2.0 pF
Ftau 电流-增益 带宽 产品
(ic = 75madc, vce = 10vdc, f = 1.0ghz)
-
5.0 - GHz
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