首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:315228
 
资料名称:MRF5812R1
 
文件大小: 173.04K
   
说明
 
介绍:
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号MRF5812R1的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号MRF5812R1的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号MRF5812R1的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号MRF5812R1的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
msc1319.pdf 10-25-99
mrf5812, r1, r2
r1 suffix–tape 和 卷轴, 500 单位
r2 suffix–tape 和 卷轴, 2500 单位
描述:
设计 为 高 电流, 低 电源, 低 噪音,放大器 向上 至 1.0ghz.
绝对 最大 比率
(tcase = 25
°
c)
标识 参数 单位
V
CEO
V
CBO
集电级-根基 电压 30 Vdc
V
EBO
发射级-根基 电压 2.5 Vdc
I
C
集电级 电流 200 毫安
热的 数据
P
D
总的 设备 消耗 @ tc = 25ºc
减额 在之上 25ºc
1.25
10
Watts
mw/º
C
所以-8
特性
低 噪音 - 2.5 db @ 500MHZ
有关联的 增益 = 15.5 db @ 500 mhz
ftau - 5.0ghz @ 10v, 75ma
费用 有效的 所以-8 包装
rf &放大; 微波 分离的
低 电源 晶体管
140 commerce 驱动
montgomeryville, pa
18936-1013
phone: (215) 631-9840
传真: (215) 631-9855
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com