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资料编号:315228
 
资料名称:MRF5812R1
 
文件大小: 173.04K
   
说明
 
介绍:
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
 
 


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msc1319.pdf 10-25-99
mrf5812, r1, r2
函数的
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
NFmin
最小 噪音 图示
(ic = 50madc, vce = 10vdc, f = 500 mhz) - 2.0 3.0 dB
G
NF
电源 增益 @Nfmin
(ic = 50madc, vce = 10vdc, f = 500 mhz) 13 15.5 dB
G
u 最大值
最大 unilateral 增益 (1)
ic = 50madc, vce = 10vdc, f = 500 mhz - 17.8
-
dB
MSG 最大 稳固的 增益
ic = 50madc, vce = 10vdc, f = 500 mhz - 20
-
dB
|S
21
|
2
嵌入 增益
ic = 50madc, vce = 10vdc, f = 500 mhz - 15 - dB
表格 1. 一般 发射级 s-参数, @ vce = 10 v, ic = 50毫安
f S11 S21 S12 S22
(mhz) |S11|
∠ φ
|S21|
∠ φ
|S12|
∠ φ
|S22|
∠ φ
100 .579 -141 24 107 .024 49 .397 -76
300 .593 -173 8.93 85 .045 66 .233 -103
500 .598 175 5.14 74 .066 69 .248 -110
1000 .592 158 2.64 52 .132 72 .347 -119
2000 .615 115 1.55 20 .310 63 .531 -141
3000 .691 72 1.10 -5 .518 41 .648 -172
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