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资料编号：315253
 
资料名称：IRF5851
 
文件大小： 172.54K
   
说明：
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss = +-20 V)
 
 


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14 		 
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IRF5851
12 www.irf.com
图 30.
门槛 电压 vs. 温度
图 31

典型 电源 vs. 时间
0.001 0.010 0.100 1.000 10.000
时间 (秒)
0
4
8
12
16
20
24
P
o
w
e
r
(
W
)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 (
°
c )
0.4
0.6
0.8
1.0
-
V
G
S
(
t
h
)
,
V
一个
r
i
一个
c
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(
V
)
I
D
= -250µa
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