参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 30 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
10
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
8.1 一个
I
DM
搏动 流 电流
81
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗
2.0 W
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗
1.3
直线的 减额 因素 0.02 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 V
E
作
(6 sigma) 单独的 脉冲波 avalanche 活力
50 mJ
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
• co-包装 双 n-频道 hexfet
电源 场效应晶体管
和 肖特基 二极管
• 完美的 为 同步的 buck 直流-直流
转换器 向上 至 11a 顶峰 输出
• 低 传导 losses
• 低 切换 losses
• 低 vf 肖特基 整流器
双 fetky
描述
这 fetky
™
家族 的 co-包装 hexfet
mosfets 和 肖特基 二极管 提供 这 设计者 一个 革新的,
板 空间 节省 解决方案 为 切换 调整器 和 电源 管理 产品. 先进的
HEXFET
mosfets 联合的 和 低 向前 漏出 肖特基 结果 在 一个 极其 效率高的 设备 合适的
为 一个 宽 多样性 的 可携带的 electronics 产品.
这 所以-14 有 被 修改 通过 一个 customized 引线框架 为 增强 热的 特性 和
多样的 消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的 电源 产品. 和 这些 改进 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically 减少 板 空间. 内部的 连接 使能
easier 板 布局 设计 和 减少 偏离 电感.
IRF7335D1
pd- 94546
Q1
Q2
和 肖特基
R
DS
(在)
13.4 m
Ω
9.6 m
Ω
Q
G
13 nc 18 nc
Q
sw
5.5 nc 6.4 nc
V
SD
1.0v 0.43v
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的 20
R
θ
JA
接合面-至-包围的
62.5 °c/w
热的 阻抗
绝对 最大 比率
注释
通过
是 在 页 12
D1
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
D1
G1
S2
S2
S2
G2
s1, d2
s1, d2
s1, d2
s1, d2
s1, d2
s1, d2
s1, d2
Q1
Q2
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