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图 13
. 典型 电容 vs.流-至-源 电压
图 14
. 典型 电容 vs.流-至-源 电压
图. 15
. 门-至-源 电压 vs 典型 门 承担
图. 16
. 门-至-源 电压 vs 典型 门 承担
典型 特性
q1 - 控制 场效应晶体管 q2 - 同步的 场效应晶体管 &放大; 肖特基
1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
C
,
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
0.1 1.0 10.0 100.0 1000.0
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
tc = 25°c
tj = 150°c
单独的 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0
500
1000
1500
2000
2500
C
,
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
0.1 1.0 10.0 100.0 1000.0
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
tc = 25°c
tj = 150°c
Single 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
0 5 10 15 20 25 30
Q
G
总的门 承担 (nc)
0
2
4
6
8
10
12
V
G
S
,
G
一个
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
V
DS
= 24v
vds= 15v
I
D
= 8.0a
0 5 10 15 20 25 30
Q
G
总的 门 承担 (nc)
0
2
4
6
8
10
12
V
G
S
,
G
一个
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
V
DS
= 24v
vds= 15v
I
D
= 8.0a
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