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资料编号:317205
 
资料名称:IRF7335D1
 
文件大小: 216.2K
   
说明
 
介绍:
Dual FETKY CO-PACKAGED DUAL MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
 
 


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2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 情况
持续的 源 电流 I
S
10 10 一个 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
脉冲波 源 电流 I
SM
81 81 intergral 反转
(身体 二极管) p-n 接合面 二极管
二极管 向前 电压 V
SD
1 1.25 0.43 0.50 V T
J
= 25°c, i
S
= 1.0a,v
GS
= 0v
反转 恢复 时间 t
rr
28 31 ns T
J
= 125°c, i
F
= 8.0a, v
R
= 15v
反转 恢复 承担 Q
rr
24 26 nC di/dt = 100a/µs
反转 恢复 时间 t
rr
29 31 ns T
J
= 125°c, i
F
=8.0a, v
R
= 15v
反转 恢复 承担 Q
rr
26 26 nC di/dt =100a/µs
参数 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 情况
流-至-源 BV
DSS
30 30 V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
损坏 电压
静态的 流-源 R
DS
(在)
13.4 17.5 9.6 12.8 m
V
GS
= 4.5v, i
D
= 10a
在 阻抗
门 门槛 电压 V
gs(th)
1.0 1.1 V V
DS
= v
GS
,i
D
= 250µa
流-源 泄漏 I
DSS
30 30 µA V
DS
= 24v, v
GS
= 0
0.3 10 毫安 V
DS
= 24v, v
GS
= 0, tj = 125°c
门-源 泄漏 I
GSS
±100 ±100 nA V
GS
= ±12v
电流
向前 跨导 g
FS
21 28 S V
GS
=5v, i
D
=8.0a, v
DS
=15V
总的 门 承担 Q
G
13 20 18 27 V
GS
=4.5v, i
D
=8.0a, v
DS
=15V
前-vth Q
GS1
3.2 5.8
门-源 承担
邮递-vth Q
GS2
1.4 1.5 nC
门-源 承担
门 至 流 承担 Q
GD
4.1 4.9
转变 chg(q
gs2
+ q
gd
) q
sw
5.5 6.4
输出 承担 Q
oss
7.7 11 nC V
DS
= 16v, v
GS
= 0
门 阻抗 R
G
4.3 10 2.6 5.0
转变-在 延迟 时间 t
d (在)
6.8 8.8 V
DD
= 16v, i
D
= 8.0a
上升 时间 t
r
5.9 3.3 ns V
GS
= 4.5v
转变-止 延迟 时间 t
d
(止)
19 17 clamped inductive 加载
下降 时间 t
f
9.1 7.0
输入 电容 C
iss
1500 2300
输出 电容 C
oss
310 450 pF V
DS
= 15v, v
GS
= 0
反转 转移 电容 c
rss
140 180
电的 特性
源-流 比率 &放大; 特性
&放大; 肖特基
电流
q1-控制 场效应晶体管
q2-synch 场效应晶体管
损坏 电压
BV
dss/
T
J
0.025 0.033 V 涉及 至 25°c, i
D
= 1.0ma
tem. 系数
S
D
G
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