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参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -30 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
––– 0.042 0.062 V
GS
= -10v, i
D
= -4.9a
––– 0.076 0.098 V
GS
= -4.5v, i
D
= -3.6a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 ––– 7.7 ––– S V
DS
= -15v, i
D
= -4.9a
––– ––– -1.0 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v
––– ––– -25 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v, t
J
= 55°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担 ––– 23 34 I
D
= -4.9a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 3.8 5.7 nC V
DS
= -15v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 5.9 8.9 V
GS
= -10v, 看 图. 6
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 13 19 V
DD
= -15v
t
r
上升 时间 ––– 13 20 I
D
= -1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 34 51 R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间 ––– 32 48 R
D
= 15
Ω
,
C
iss
输入 电容 ––– 710 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 380 ––– pF V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 180 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
场效应晶体管 电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
Ω
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流(身体 二极管) ––– ––– -2.5
I
SM
搏动 源 电流(身体 二极管) ––– ––– -30
V
SD
身体 二极管 向前 电压 ––– -0.78 -1.0 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.7a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 (身体 二极管) ––– 44 66 ns T
J
= 25°c, i
F
= -1.7a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 42 63 nC di/dt = 100a/µs
场效应晶体管 源-流 比率 和 特性
参数 最大值单位
情况
如果 (av) 最大值 平均 向前 电流 3.2 50% 职责 循环. rectangular 波, tc = 25°c
2.0 看 图.14 tc = 70°c
I
SM
最大值顶峰一个循环 非-repetitive 200 5µs sine 或者 3µs rect. 脉冲波 下列的 任何 评估
Surge 电流 20 10ms sine 或者 6ms rect. 脉冲波 加载 情况 &放大;
和 vrrm 应用
肖特基 二极管 最大 比率
参数 最大值 单位 情况
Vfm 最大值 向前 电压 漏出 0.57 如果 =3.0, tj = 25°c
0.77 如果 =6.0, tj = 25°c
0.52 如果 =3.0, tj = 125°c
0.79 如果 =6.0, tj = 125°c .
Irm 最大值 反转 泄漏 电流 0.30 vr = 30v tj =25°C
37 tj = 125°c
Ct 最大值接合面电容 310 pF vr = 5vdc ( 100khz 至 1 mhz) 25°c
dv/dt 最大值 电压 比率 的 承担 4900 v/µs评估 vr
肖特基 二极管 电的 规格
( hexfet 是 这 reg. tm 为 国际的 整流器 电源 场效应晶体管's )
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