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资料编号:317208
 
资料名称:IRF7321D2
 
文件大小: 154.47K
   
说明
 
介绍:
FETKY MOSFET & Schottky Diode
 
 


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6 www.irf.com
肖特基 二极管 特性
图. 13
- 典型 值 的
反转 电流 vs. 反转 电压
图.14
- 最大 容许的 包围的
温度 vs. 向前 电流


图. 12
- 典型 向前 电压 漏出
特性
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0102030
R
100°C
75°C
50°C
25°C
反转 电压 - V (v)
125°C
)
T = 150°C
J
0.1
1
10
100
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
.0
FM
F
instantaneous 向前 电流 - i (一个)
向前 电压 漏出 - v (v)
t = 150°c
t = 125°c
t = 25°c
J
J
J
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
f(av)
一个
平均 向前 电流 - i (一个)
d = 3/4
d = 1/2
d =1/3
d = 1/4
d = 1/5
V= 80% 评估
r = 62.5°c/w
正方形的 波
thJA
r
直流
容许的 ambient 温度 - (°c)
向前 电压 漏出 - v
F
(v)
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