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资料编号:317208
 
资料名称:IRF7321D2
 
文件大小: 154.47K
   
说明
 
介绍:
FETKY MOSFET & Schottky Diode
 
 


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
4 www.irf.com
1
10
100
1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
C
-v , 流-至-源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
100us
1ms
10ms
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
v , 流-至-源 电压 (v)
一个
C
iss
C
oss
C
rss






0 10 20 30 40
0
4
8
12
16
20
q , 总的 门 承担 (nc)
-v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
I =
D
-4.9a
V =-15v
DS
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.
4
t = 25°c
t = 150°c
J
J
v = 0v
GS
SD
SD
一个
-i , 反转 流 电流 (一个)
-v , 源-至-流 电压 (v)
电源 场效应晶体管 特性
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