IRF7416
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– -1.0 V T
J
= 25°c, i
S
= -5.6a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 56 85 ns T
J
= 25°c, i
F
= -5.6a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 99 150 nC di/dt = 100a/µs
源-流 比率 和 特性
一个
––– ––– -45
––– ––– -3.1
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -30 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– -0.024 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= -1ma
––– ––– 0.020 V
GS
= -10v, i
D
= -5.6a
––– ––– 0.035 V
GS
= -4.5v, i
D
= -2.8a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 5.6 ––– ––– S V
DS
= -10v, i
D
= -2.8a
––– ––– -1.0 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v
––– ––– -25 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担 ––– 61 92 I
D
= -5.6a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 8.0 12 nC V
DS
= -24v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 22 32 V
GS
= -10v, 看 图. 6 和 9
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 18 ––– V
DD
= -15v
t
r
上升 时间 ––– 49 ––– I
D
= -5.6a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 59 ––– R
G
= 6.2
Ω
t
f
下降 时间 ––– 60 ––– R
D
= 2.7
Ω,
看 图. 10
C
iss
输入 电容 ––– 1700 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 890 ––– pF V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 410 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
Ω
µA
nA
ns
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
S
D
G
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
≤
-5.6a, di/dt
≤
100a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150°C
开始 t
J
= 25°c, l = 25mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= -5.6a. (看 图示 12)
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
表面 挂载 在 fr-4 板, t
≤
10sec.
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