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资料编号:317351
 
资料名称:IRF7416
 
文件大小: 116.36K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7416
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
1000
2000
3000
4000
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
v , drain-至-sourceVoltage (v)
一个
V=0V,f=1M Hz
C=C+C,CSH或者TE D
C=C
C=C+C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 20406080100
G
GS
一个
-v, gate-至-sourceV oltage (v )
q , 总的 门 charge (nc)
V=-24V
V=-15V
DS
DS
为 测试 电路
看 图示 9
I= -5.6一个
D
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T= 25°c
T= 150°C
J
J
V=0V
GS
SD
SD
一个
-v , 源-至-流 电压 (v)
-i , r everseD rain current (一个 )
1
10
100
0.1 1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
一个
-v , 流-至-源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
100us
1ms
10ms
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