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资料编号:317351
 
资料名称:IRF7416
 
文件大小: 116.36K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7416
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 1.
典型 输出 特性
图 2.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
1
10
100
0.1 1 10
D
DS
20µs pULSEWIDTH
T= 25°c
一个
-i , d r一个 - -s ourc eC u rren t (一个 )
-v , 流-至-源 电压 (v)
J
-3.0v
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 7.0v
- 5.5v
- 4.5v
- 4.0v
- 3.5v
BOTTOM- 3.0v
1
10
100
0.1 1 10
D
DS
一个
-i , d r一个 - -s ourc eC u rren t (一个 )
-v , 流-至-源 电压 (v)
-3.0v
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 7.0v
- 5.5v
- 4.5v
- 4.0v
- 3.5v
BOTTOM- 3.0v
20µs pULSEWIDTH
T= 150°C
J
1
10
100
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
t = 25°c
T= 15 0°C
J
J
GS
D
一个
-i, d ra-至-SourceC urrent (一个)
-v,Ga te-至-so urceVoltage (v)
V =-1 0V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
t , junction temperature (°c)
R , drain-至-s ource on resistance
DS(在)
(非rm一个lized)
一个
V= -10V
GS
I=-5.6A
D
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