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资料编号:322886
 
资料名称:FDB6030L
 
文件大小: 473.58K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
T
C
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率
(便条 1)
W
DSS
单独的 脉冲波 流-源 avalanche 活力 V
DD
= 15 v, i
D
= 21 一个 150 mJ
I
AR
最大 流-源 avalanche 电流 21 一个
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250µ一个 30 V
BV
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
I
D
=250 µa, 关联 至 25
o
C
37
mv/
o
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24v,V
GS
= 0 v
10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条
1)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µ一个 1 1.6 3 V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压温度.系数
I
D
=250 µa, 关联 至 25
o
C
-4
mv/
o
C
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 10v,I
D
= 26一个
0.0095 0.0135
T
J
= 125°C
0.014 0.023
V
GS
= 4.5v,I
D
= 21一个 0.015 0.02
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 10V, v
DS
= 10 v
60 一个
I
D(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 4.5V, v
DS
= 10 v 15 一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 10v, i
D
= 26一个
37 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= 15v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1230 pF
C
oss
输出 电容 640 pF
C
rss
反转 转移 电容 175 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 1)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= 15v, i
D
=52一个 7.6 15 nS
t
r
转变 - 在 上升 时间
V
GS
= 10v, r
GEN
= 24
150 210 nS
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 29 46 nS
t
f
转变 - 止 下降 时间 17 27 nS
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= 12V
I
D
= 26一个,V
GS
=10 v
34 46 nC
Q
gs
门-源 承担 6 nC
Q
gd
门-流 承担 8 nC
流-源 二极管 特性
I
S
最大 continuos 流-源 二极管 向前 电流 52 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v,I
S
= 26一个(便条 1) 0.91 1.3 V
T
J
= 125°C
0.8 1.2
便条
1.Pulse 测试: 脉冲波 宽度<300 µs, 职责 循环<2.0%.
FDP6030l rev.c
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