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资料编号:322886
 
资料名称:FDB6030L
 
文件大小: 473.58K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
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4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDP6030l rev.c
1
典型 电的 特性(持续)
0 10 20 30 40
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = 26a
D
v = 6.0v
DS
24V
12V
0.1 0.3 1 3 10 30
100
300
800
2000
4000
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
iss
C
rss
图示 8.电容 特性
.
图示 7. 门 承担 特性.
0.5 1 3 5 10 20 30 50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
300
v , 流-源 电压 (v))
i , 流 电流 (一个)
DS
D
100µs
1ms
10ms
100ms
直流
r 限制
ds(在)
v = 10v
单独的 脉冲波
r = 2 c/w
t = 25 °c
GS
C
θ
JC
o
10µs
图示 9.最大 safe 运行 范围.
0.01 0.1 1 10 100 1,000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
单独的 脉冲波 时间 (秒)
电源 (w)
单独的 脉冲波
r = 2 °c/w
t = 25°c
θ
JC
C
图示 10. 单独的 脉冲波 最大 电源
消耗.
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线
.
0.01 0.05 0.1 0.5 1 5 10 50 100 500 1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,时间 (ms)
瞬时 热的 阻抗
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r(t), normalized 有效的
1
职责 循环, d = t /t
1 2
r (t) = r(t) * r
r = 2.0 °c/w
θ
JC
θ
JC
θ
JC
t - t = p * r (t)
θ
JC
C
J
p(pk)
t
1
t
2
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