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资料编号:322886
 
资料名称:FDB6030L
 
文件大小: 473.58K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDP6030l rev.c
1
典型 电的 特性
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
0
20
40
60
80
100
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
7.0
4.0
4.5
5.0
3.5
6.0
v = 10v
GS
3.0
5.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r ,normalized
ds(在)
v = 10v
GS
i = 26a
D
1 2 3 4 5
0
10
20
30
40
50
60
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = 10v
DS
GS
D
125°C
t = -55°c
一个
25°C
图示 5. 转移 特性
.
0 20 40 60 80 100
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
4.5
5.0
10
4.0
6.0
7.0
v =3.5v
GS
5.5
图示 1. 在-区域 特性.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
60
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
一个
25°C
-55°c
v =0v
GS
SD
S
2 4 6 8 10
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
v , 门 至 源 电压 (v)
GS
r , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
25°C
i = 26a
D
t = 125°c
一个
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门
电压.
图示 4.在-阻抗
变化
门-至-源 电压.
图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
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