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资料编号:323586
 
资料名称:FDS4501H
 
文件大小: 1390.46K
   
说明
 
介绍:
Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds4501h rev C(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa
V
GS
= 0 v, i
D
=250 µa
Q1
Q2
30
–20
V
BV DSS
T
J
损坏 电压
温度 系数
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
I
D
=250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
24
–13
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v
V
DS
=16 v, v
GS
= 0 v
Q1
Q2
1
–1
µ
一个
I
GSS
-Body 泄漏 V
GS
=+20 v, v
DS
= 0 v
V
GS
=+8 v, v
DS
= 0 v
Q1
Q2
+100
+100
nA
在 特性 (便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
V
DS
= v
GS
, i
D
=250 µa
Q1
Q2
1
0.4
1.6
–0.7
3
1.5
V
V gs(th)
T
J
门 门槛 voltage
温度 系数
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
I
D
=250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
–4
3
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流-
-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 9.3 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 9.3 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 7.6 一个
V
GS
=4.5 v, i
D
=5.6一个
V
GS
=4.5 v, i
D
=5.6 一个,T
J
= 125
°
C
V
GS
=2.5 v, i
D
=–5.0 一个
Q1
Q2
14
21
17
36
49
47
18
29
23
46
80
63
m
I
d(在)
-状态 流 电流 V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v
V
GS
=4.5 v, v
DS
=5 v
Q1
Q2
20
20
一个
g
FS
向前 transconductance V
DS
= 5 v, i
D
= 9.3 一个
V
DS
= 5 v, i
D
=5.6一个
Q1
Q2
28
16
S
动态 特性
C
iss
输入 电容 Q1
Q2
1958
1312
pF
C
oss
输出 电容 Q1
Q2
424
240
pF
C
rss
反转 转移 capacitance
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
Q1
Q2
182
106
pF
FDS4501H
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