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资料编号:323586
 
资料名称:FDS4501H
 
文件大小: 1390.46K
   
说明
 
介绍:
Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
 
 


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fds4501h rev C(w)
典型 characteristics: q2
0
3
6
9
12
15
0 0.5 1 1.5 2 2.5
-v
DS
, 流-源 电压 (v)
-1.8v
-2.0v
-2.5v
-1.5v
V
GS
= -4.5v
-3.0v
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0 3 6 9 12 15
-i
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= -1.5v
-2.0v
-2.5v
-4.5v
-3.0v
-1.8v
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
I
D
= -2.4a
V
GS
= -4.5v
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
1 2 3 4 5
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
= -1.2 一个
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
图示 3. 在-Resistance 变化 和
温度.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
--源 电压.
0
3
6
9
12
15
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
V
DS
= - 5v
-55
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
-v
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0v
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和温度.
FDS4501H
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