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资料编号:323586
 
资料名称:FDS4501H
 
文件大小: 1390.46K
   
说明
 
介绍:
Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
 
 


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2001
2001仙童 半导体 公司 fds4501h rev C(w)
FDS4501H
complementary powertrench

Half-桥 场效应晶体管
这个 complementary 场效应晶体管 half-桥 设备 是
生产 使用 仙童’s 先进的 powertrench
处理 那 有 被 特别 tailored 至 降低
这 在-状态 阻抗 和 还 维持 低 门
承担 为 更好的 切换 效能.
产品
直流/直流 转换器
电源 管理
加载 转变
电池 保护
特性
Q1
:
N-频道
9.3a, 30v R
ds(在)
=18m
@ v
GS
= 10v
R
ds(在)
=23m
@ v
GS
= 4.5v
Q2
:
P-频道
5.6a,20V R
ds(在)
=46m
@ v
GS
=4.5v
R
ds(在)
=63m
@ v
GS
=2.5v
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
D
D
D
D
S1
G1
S2
G2
所以-8
4
3
2
1
5
6
7
8
Q1
Q2
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 Q1
Q2 单位
V
DSS
-源 电压 30 –20 V
V
GSS
-源 电压
±
20
±
8
V
I
D
流 电流 -持续的 (便条 1a) 9.3 5.6 一个
-搏动 20 –20
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
, t
STG
运算erating 和 存储 接合面 温度 范围 55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面--包围的 (便条 1a) 50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面--情况 (便条 1) 25
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS4501H FDS4501H 13” 12mm 2500 units
FDS4501H
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