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资料编号:323711
 
资料名称:FDS8958A
 
文件大小: 362.45K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds8958a rev d(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个
V
GS
= 0 v, i
D
= -250
µ
一个
Q1
Q2
30
-30
V
BV
DSS
T
J
损坏 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
I
D
= -250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
25
-22
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v
V
DS
= -24 v, v
GS
= 0 v
Q1
Q2
1
-1
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v, v
DS
= 0 v 所有 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏, 反转 V
GS
= -20 v, v
DS
= 0 v 所有 -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
Q1
Q2
1
-1
1.6
-1.7
3
-3
V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
I
D
= -250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
-4.3
4
mv/
°
C
V
GS
= 10 v, i
D
= 7 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 7 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 6 一个
Q1 21
32
27
28
42
40
m
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= -10 v, i
D
= -5 一个
V
GS
= -10 v, i
D
= -5 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= -4.5 v, i
D
= -4 一个
Q2 41
58
58
52
78
80
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v
V
GS
= -10 v, v
DS
= -5 v
Q1
Q2
20
-20
一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 5 v, i
D
= 7 一个
V
DS
= -5 v, i
D
=-5 一个
Q1
Q2
19
11
S
动态 特性
C
iss
输入 电容 Q1
Q2
789
690
pF
C
oss
输出 电容 Q1
Q2
173
306
pF
C
rss
反转 转移 电容
Q1
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz
Q2
V
DS
= -10 v, v
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz
Q1
Q2
66
77
pF
FDS8958A
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