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资料编号:323711
 
资料名称:FDS8958A
 
文件大小: 362.45K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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fds8958a rev d(w)
典型 特性 q2
0
5
10
15
20
25
30
012345
-v
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= -10.0v
-5.0v
-3.0v
-7.0v
-4.0v
-6.0v
-3.5v
0.5
1
1.5
2
2.5
0 6 12 18 24 30
-i
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= -3.5v
-4.5v
-5.0v
-7.0v
-10.0v
-4.0v
-6.0v
图示 11. 在-区域 特性. 图示 12. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
I
D
= -5a
V
GS
= -10v
0
0.05
0.1
0.15
0.2
246810
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
= -5a
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
图示 13. 在-阻抗 变化 和
温度.
图示 14. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
0
5
10
15
20
25
30
1.5 2.5 3.5 4.5 5.5
-v
GS
, 门 至 源 电压 (v)
T
一个
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -10v
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
-v
SD
,
身体 二极管 向前 电压 (v)
V
GS
= 0v
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
图示 15. 转移 特性. 图示 16. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.
FDS8958A
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