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资料编号:323711
 
资料名称:FDS8958A
 
文件大小: 362.45K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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fds8958a rev d(w)
典型 特性: q1
0
2
4
6
8
10
0481216
Q
g
, 门 承担 (nc)
I
D
=7A
V
DS
= 5v
15V
10V
0
300
600
900
1200
0.0 5.0 10.0 15.0 20.0
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1mhz
V
GS
= 0 v
图示 7. 门 承担 特性. 图示 8. 电容 特性.
0.01
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
V
DS
, 流-源 电压 (v)
直流
10s
1s
100ms
100
µ
s
R
ds(在)
限制
V
GS
= 10v
单独的 脉冲波
R
θ
JA
= 135
o
c/w
T
一个
= 25
o
C
10ms
1ms
0
10
20
30
40
50
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t
1
, 时间 (秒)
单独的 脉冲波
R
θ
JA
= 135°c/w
T
一个
= 25°c
图示 9. 最大 safe 运行 范围. 图示 10. 单独的 脉冲波 最大
电源 消耗.
FDS8958A
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