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资料编号:325539
 
资料名称:FGA15N120AND
 
文件大小: 574.75K
   
说明
 
介绍:
IGBT
 
 


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fga15n120and rev. 一个
FGA15N120AND
©2003 仙童 半导体 公司
0246
0
20
40
60
80
一般 发射级
V
GE
= 15v
T
C
= 25
T
C
= 125
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
0246810
0
20
40
60
80
100
120
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10v
T
C
= 25
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
图 1. 典型 输出 特性 图 2. 典型 饱和 电压
特性
图 3. 饱和 电压 vs. 情况
温度 在 variant 电流 水平的
图 4. 加载 电流 vs. 频率
图 5. 饱和 电压 vs. v
GE
图 6. 饱和 电压 vs. v
GE
25 50 75 100 125
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
一般 发射级
V
GE
= 15v
24A
I
C
= 15a
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
情况 温度, t
C
[
]
0.1 1 10 100 1000
0
10
20
30
vcc = 600v
加载 电流 : 顶峰 的 正方形的 波
职责 循环 : 50%
tc = 100
powe 消耗 = 40w
加载 电流 [a]
频率 [khz]
0 4 8 12 16 20
0
4
8
12
16
20
24A
15A
一般 发射级
T
C
= 25
I
C
= 7.5a
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
门-发射级 电压, v
GE
[V]
0 4 8 121620
0
4
8
12
16
20
24A
15A
一般 发射级
T
C
= 125
I
C
= 7.5a
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
门-发射级 电压, v
GE
[V]
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