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资料编号:325539
 
资料名称:FGA15N120AND
 
文件大小: 574.75K
   
说明
 
介绍:
IGBT
 
 


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fga15n120and rev. 一个
FGA15N120AND
©2003 仙童 半导体 公司
1e-5 1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 10
1e-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
热的 回馈 [zthjc]
rectangular 脉冲波 持续时间 [sec]
0 20406080100120
0
2
4
6
8
10
12
14
16
600V
400V
一般 发射级
R
L
= 40
T
C
= 25
vcc = 200v
门-发射级 电压, v
GE
[V]
门 承担, q
g
[nC]
5 1015202530
0.1
1
10
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 20
T
C
= 25
T
C
= 125
Eon
Eoff
切换 丧失 [mj]
集电级 电流, i
C
[A]
图 14. 门 承担 特性
图 15. soa 特性
图 16. 转变-止 soa
图 17. 瞬时 热的 阻抗 的 igbt
图 13. 切换 丧失 vs. 集电级 电流
Pdm
t1
t2
职责 因素 d = t1 / t2
顶峰 tj = pdm
×
zthjc + t
C
0.1 1 10 100 1000
0.01
0.1
1
10
100
50
µ
s
100
µ
s
1ms
直流 运作
ic 最大值 (搏动)
ic 最大值 (持续的)
单独的 nonrepetitive
脉冲波 tc = 25
o
C
曲线 必须 是 derated
成直线地 和 增加
在 温度
集电级 电流, ic [a]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
1 10 100 1000
1
10
100
safe 运行 范围
V
GE
= 15v, t
C
= 125
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
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