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资料编号：325539
 
资料名称：FGA15N120AND
 
文件大小： 574.75K
   
说明：
 
介绍:
IGBT
 
 


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fga15n120and rev. 一个
FGA15N120AND
©2003 仙童 半导体 公司
0 10203040506070
10
100
一般 发射级
V
CC
= 600v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 15a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
td(在)
tr
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
110
0
500
1000
1500
2000
2500
Ciss
Coss
一般 发射级
V
GE
= 0v, f = 1mhz
T
C
= 25
℃
Crss
电容 [pf]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
图 7. 电容 特性
图 11. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流
0 10203040506070
10
100
1000
一般 发射级
V
CC
= 600v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 15a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
td(止)
tf
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
0 10203040506070
1
10
一般 发射级
V
CC
= 600v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 15a
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Eon
Eoff
切换 丧失 [mj]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
5 1015202530
100
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 20
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
tr
td(在)
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
5 1015202530
100
1000
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 20
Ω
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
td(止)
tf
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
图 8. 转变-在 特性 vs. 门
阻抗
图 9. 转变-止 特性 vs.
门 阻抗
图 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
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