Ramtron FM1608
28July2000 6/12
fram 设计仔细考虑
当 designing 和 fram 为 这 第一 时间, 用户
的 sram 将 认识 一个 few minor differences. 第一,
bytewide fram memories 获得 各自 地址 在 这
下落 边缘 的 碎片 使能. 这个 准许 这 地址
总线 至 改变 之后 开始 这 记忆 进入. 自从
每 进入 latches 这 记忆 地址 在 这
下落 边缘 的 /ce, 用户 应当 不 地面 它 作 它们
might 和 sram.
用户 那 是 modifying 存在 设计 至 使用
fram 应当 examine 这 硬件 地址
decoders. decoders 应当 是 修改 至 qualify
地址 和 一个 地址 有效的 信号 如果 它们 做 不
already. 在 许多 具体情况, 这个 是 这 仅有的 改变
必需的. systems 那 驱动 碎片 使能 起作用的, 然后
inactive 为 各自 有效的 地址 将 需要 非
修改. 一个 例子 的 这 目标 信号
relationships 是 显示 在 图示 4. 也 显示 是 一个
一般 sram 信号 relationship 那将 不工作
为 这 fm1608.
The 主要的 设计 公布 是 至 create 一个 解码器 scheme
那 将 驱动 /ce 起作用的, 然后 inactive 为 各自
地址. 这个 accomplishes 这 二 goals 的 闭锁
这 新 地址 和 creating 这 precharge 时期.
一个 第二 设计 仔细考虑 relates 至 这 level 的
VDD在 运作. 电池-backed srams 是
强迫 至 监控 VDD在 顺序 至 转变 至 电池
backup. 它们 典型地 块 用户 进入 在下 一个
确实 VDD水平的 在 顺序 至 阻止 加载 这
电池 和 电流 要求 从 一个 起作用的 sram.
这 用户 能 是 abruptly 截 止 从 进入 至 这
nonvolatile 记忆 在 一个 电源 向下 situation 和
非 警告 或者 indication.
fram memories 做 不 需要 这个 系统 overhead.
这 记忆 将 不 块 进入 在 任何VDD水平的.
这 用户, 不管怎样, 应当 prevent 这 处理器
从 accessing 记忆 当 VDD是 输出-的-
容忍. 这 一般 设计 实践 的 支持 一个
处理器 在 重置 当VDDdrops 是 足够的; 非
特定的 provisions 必须 是 带去 为 fram 设计.
图示 4. 记忆 地址 relationships
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