这个 数据 薄板 包含 设计 规格 为 产品 开发.
ramtron 国际的 公司
这些 规格 将 改变 在 任何 毫安nner 没有 注意 1850 ramtron 驱动, colorado springs, co 80921
(800) 545-fram, (719) 481-7000, 传真 (719) 481-7058
www.ramtron.com
28July2000 1/12
FM1608
64kb bytewide fram 记忆
特性
64k 位 ferroelectric nonvolatile 内存
•
有组织的 作 8,192 x 8 位
•
高 忍耐力 10 billion (10
10
) 读/写
•
10 年 数据 保持 在 85
°
C
•
nodelay™ 写
•
先进的 高-可靠性 ferroelectric 处理
更好的 至 bbsram modules
•
非 电池 concerns
•
大而单一的 可靠性
•
真实 表面 挂载 解决方案, 非 rework 步伐
•
更好的 为 潮气, shock, 和 震动
•
resistant 至 负的 电压 undershoots
sram &放大; 可擦可编程只读存储器 兼容
•
电子元件工业联合会 8kx8 sram &放大; eeprom 引脚
•
120 ns 进入 时间
•
180 ns 循环 时间
•
equal 进入 &放大; 循环 时间 为 读 和 写
低 电源 运作
•
15 毫安 起作用的 电流
•
20
µ
一个 备用物品 电流
工业 标准 配置
•
工业的 温度-40
°
c 至 +85
°
C
•
28-管脚 sop 或者 插件
Description
这 fm1608 是 一个 64-kilobit nonvolatile 记忆
employing 一个 先进的 ferroelectric 处理. 一个
ferroelectric 随机的 进入 记忆 或者 fram 是
nonvolatile 但是 运作 在 其它 respects 作 一个 内存.
它 提供 数据 保持 为 10 年 当
eliminatingthe 可靠性 concerns, 函数的
disadvantages 和 系统 设计 complexities 的
电池-backed sram. 它的 快 写 和 高 写
忍耐力 制造 它 更好的 至 其它 类型 的
nonvolatile 记忆.
在-系统 运作 的 这 fm1608 是 非常 类似的 至
other 内存 为基础 设备. 记忆 读-和 写-
循环 需要 equal 时间. 这 fram 记忆,
不管怎样, 是 nonvolatile 预定的 至 它的 唯一的 ferroelectric
记忆 处理. 不像 bbsram, 这 fm1608 是 一个
truly 大而单一的 nonvolatile 记忆. 它 提供 这
一样 functional 益处 的 一个 快 写 没有 这
严重的 disadvantages 有关联的 和 modules 和
batteries 或者 混合的 记忆 解决方案.
这些 能力 制造 这 fm1608 完美的 为
nonvolatile 记忆 产品 需要 frequent 或者
迅速 写 在 一个 bytewide 环境. 这
有效性 的 一个 真实 表面-挂载 包装 改进
这 manufacturability 的 新 设计, 当 这 插件
包装 facilitates 简单的 设计 retrofits. 这
fm1608 提供 有保证的 运作 在 一个
工业的 温度 范围 的-40°C至 +85°c.
管脚 配置
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE
A10
OE
A11
A9
A8
NC
我们
VDD
订货 信息
FM1608-120-P 120 ns 进入, 28-管脚 塑料 插件
FM1608-120-S 120 ns 进入, 28-管脚 sop
: 点此下载
