Ramtron FM1608
28July2000 7/12
电的 规格
绝对 最大 比率
描述 比率
包围的 存储 或者 运行 温度 -40
°
c 至 + 85
°
C
电压 在 任何 管脚 和 遵守 至 地面 -1.0v 至 +7.0v
含铅的 温度 (焊接, 10 seconds) 300
°
C
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个
压力 比率 仅有的, 和 这 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在
这 operational 部分 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 设备 可靠性
直流 运行 情况
ta =-40
°
c 至 + 85
°
c,VDD= 4.5v 至 5.5v 除非 否则 指定
标识 Parameter 最小值 典型值 最大值 单位 注释
VDD 电源 供应 4.5 5.0 5.5 V 1
IDD VDD供应 电流-起作用的 5 15 毫安 2
ISB 备用物品 电流-TTL 400
µ
一个 3
ISB 备用物品 电流-CMOS 7 20
µ
一个 4
ILI 输入 泄漏 电流 10
µ
一个 5
ILO 输出 泄漏 电流 10
µ
一个 5
VIL 输入 低 电压 -1.0 0.8 V 1
VIH 输入 高 电压 2.0 VDD+ 1.0 V 1
VOL 输出 低 电压 0.4 V 1,6
VOH 输出 高 电压 2.4v V 1,7
注释
1. 关联 至 vss.
2. VDD= 5.5v, /ce cycling 在 最小 循环 时间. 所有 输入 在 cmos levels, 所有 输出 unloaded.
3. VDD= 5.5v, /ce 在 vih, 所有 输入 在 ttl 水平, 所有 输出 unloaded.
4. VDD= 5.5v, /ce 在 vih, 所有 输入 在 cmos 水平, 所有 输出 unloaded.
5. vin, vout 在VDD和 vss.
6. iol = 4.2 毫安
7. ioh =-2.0 毫安
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