首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:333474
 
资料名称:IRFR9N20D
 
文件大小: 126.79K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)
 
 


: 点此下载
  浏览型号IRFR9N20D的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号IRFR9N20D的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号IRFR9N20D的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号IRFR9N20D的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号IRFR9N20D的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号IRFR9N20D的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号IRFR9N20D的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号IRFR9N20D的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irfr9n20d/irfu9n20d
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 4.3 ––– ––– S V
DS
= 50v, i
D
= 5.6a
Q
g
总的 门 承担 ––– 18 27 i
D
= 5.6a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 4.7 7.1 nC V
DS
= 160v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 9.0 14 V
GS
= 10v,
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 7.5 ––– V
DD
= 100v
t
r
上升 时间 ––– 16 ––– I
D
= 5.6a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 13 ––– R
G
= 11
t
f
下降 时间 ––– 9.3 ––– V
GS
= 10v

C
iss
输入 电容 ––– 560 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 97 ––– V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 29 ––– pF ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 ––– 670 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 ––– 40 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 160v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容 ––– 74 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 160v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
––– 100 mJ
I
AR
avalanche 电流
––– 5.6 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
––– 8.6 mJ
avalanche 特性
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 5.6a, v
GS
= 0v

t
rr
反转 恢复 时间 ––– 130 ––– ns T
J
= 25°c, i
F
= 5.6a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 560 ––– nC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
二极管 特性
9.4
38
一个
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 200 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
––– 0.23 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.38
V
GS
= 10v, i
D
= 5.6a

V
gs(th)
门 门槛 电压 3.0 ––– 5.5 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– ––– 25
µA
V
DS
= 200v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 160v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 30v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -30v
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 1.75
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)* ––– 50 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 110
热的 阻抗
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com