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6/29/00
IRFR9N20D
IRFU9N20D
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
200V 0.38
Ω
9.4a
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 9.4
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 6.7 一个
I
DM
搏动 流 电流
38
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 86 W
直线的 减额 因素 0.57 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
注释
通过
是 在 页 10
d-pak
IRFR9N20D
i-pak
IRFU9N20D
pd - 93919a
高 频率 直流-直流 转换器
益处
产品
低 门-至-流 承担 至 减少
切换 losses
全部地 典型 电容 包含
有效的 c
OSS
至 使简化 设计, (看
app. 便条 an1001)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
典型 smps topologies
电信 48v 输入 向前 转换器
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